【摘要】近些年来，随着时代经济的飞速发展以及科技的进步，GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度，同时也有着较高的击穿场强。对于GaN基的HEMT器件而言，是实现毫米波功率器件的一种重要选择。分析GaN基新型结构HEMT器件时，首先对GaN基新型结构HEMT器件的发展历程进行回顾，其次对GaN基新型结构HEMT器件的设计原理做了具体的分析，最后探讨了GaN基新型结构HEMT器件的基本结构。
【关键词】
《中国临床保健杂志》 2015-09-01
《中国临床保健杂志》 2015-09-01
《科技创业月刊》 2015-09-01
《吉林农业》 2015-09-01
《合成化学》 2015-09-06
《福建水产》 2015-09-06
《甘肃农业科技》 2015-09-08
《中国肿瘤临床》 2015-09-06
010-56259535
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